项目名称:100 万块新能源功率半导体 IGBT 模块产业化

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)模块是由 BJT 和MOSFET组成的复合功率半导体器件,具备 MOSFET 的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单和开关损耗小的有点,又有 BJT 导通电压低、通态电流大、损耗小的优点,是能源转换和传输的核心器件,采用 IGBT 进行功率转换能够提高用电效率和质量。IGBT模块和芯片的研发,需要建设国际领先的功率半导体产业基地,主要针对新能源汽车、新能源风电和光伏行业企业进行密切合作,进行功率半导体模块和集成电路的研发设计, 搭建国际领先的新能源 IGBT 等功率半导体研发测试平台。继而投资建设新能源汽车、风光发电企业专用 IGBT 模块生产线,以及其他功率模块、汽车电子、功率芯片等产业链配套生产线。

项目实施包含两个部分的内容,(1)在具有潜力的区域打造新能源汽车专用模块研发生产平台,抓住新能源汽车产业即将全球爆发的历史机遇,利用团队现有的 IGBT 模块研发和生产线的建设经验,迅速建成国际领先的新能源汽车IGBT模块生产、研发和试验平台。同时,可带动国内外新能源汽车厂家的 IGBT 模块生产线落户基地,同步占领国内、国外市场, 打破国际封锁、建设成国内最大的新能源汽车  IGBT  模块生产基地;(2)依托庞大的  IGBT模块生产规模进行功率芯片的设计和后续持续改进,打造自主品牌芯片产业。逐步替代进口, 带动新能源、电力电子、碳化硅半导体新材料等各学科领域技术应用和产业发展,实现新旧动能转换。本项目第一期计划总投资为 5000 万元,其中固定资产的投资为
2000 万元,固定资产包括IGBT 模块生产设备投入、测试仪器与设备,可靠性和环境测试、厂房的建设等内容,另外有1000 万用于新产品的研发,销售费用和流动资金为
2000 万元。不足的流动资金需求部分,将通过银行贷款的方式解决。

项目的后期将根据 IGBT 模块市场需求通过融资进入IGBT芯片设计领域。将实现 IGBT 更小制程的芯片研发,将内部温度传感器、电流传感器及驱动电路等模块集成为芯片,实现不断提高 IGBT 功率密度、集成度和智能度的产品化迭代和升级。第二期的投资与资金需求状况本项目将不包括,需要根据第一期的完成状况与市场发展规模来确定。

 成本价格:

单位(万元)第 1 年第 2 年第 3 年第 4 年第 5 年
总营业收入3,2456,80613,19020,70431,708
直接成本2,5454,6768,61413,57919,379
行销费用59138184295418
行政费用400700800900880
研发薪资3355508501,0001,000
利润5091,5603,3595,2319,062
利润率15.722.925.525.328.6
毛利率20.930.634.033.738.1

 使用领域:

在新能源领域,随着全球新能源汽车销量的快速增长,新能源汽车的销量从  2019  年的221 万辆增长到2025 年的1200 万辆,年度复核增长率为32.6%。IGBT 作为整车电机控制和
电气控制不可或缺的大功率驱动器件,对汽车的整体性能起着极其重要的作用。在风力发电和光伏发电领域,IGBT 模块市变流器,逆变器的关键器件,2019/20 年全球光伏行业
IGBT需求约 23/27 亿元,预计 2025 年将伴随光伏装机增长至 70 亿元(国内占比约 60%,对应42亿元),5  年 CAGR超过 20%。(数据来源:未来智库)。2020 年国内风电行业 IGBT需求约 10亿元,预计 2025年增长至 17.5 亿元,5 年 CAGR 接近15%。(数据来源:未来智库)

同时,IGBT 还广泛应用于 4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、航空航天、国防军工等传统产业领域,以及轨道交通、机械工业、电力电子,智能电网等战略性新型行业。

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